IPP032N06N3GXKSA1

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

IPP032N06N3GXKSA1 datasheet

• Маркировка
  IPP032N06N3GXKSA1
• Производитель
  Infineon Technologies
• Описание
  Infineon Technologies IPP032N06N3GXKSA1 RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V Gate-Source Breakdown Voltage: 20 V Continuous Drain Current: 120 A Resistance Drain-Source RDS (on): 2.6 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 175 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Fall Time: 20 ns Forward Transconductance gFS (Max / Min): 149 S Gate Charge Qg: 124 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 188 W Rise Time: 120 ns Part # Aliases: IPP032N06N3GHKSA1 SP000680770
• Количество страниц
  11 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet IPP032N06N3GXKSA1.pdf
Файл формата Pdf 778,88 KB